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Transportanisotropien an Fe/GaAs-Grenzflächen

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-319849
Hupfauer, Thomas
Date of publication of this fulltext: 24 Jun 2015 11:29


Abstract (German)

In dieser Arbeit wurden die Eigenschaften des lateralen Transports entlang der Fe/GaAs-Grenzfläche untersucht. Die aufgrund der Symmetrie dieser Grenzfläche und der Spin-Bahn-Kopplung entstehenden Spin-Bahn-Felder führen zu einer Anisotropie des Längswiderstands und zur Abhängigkeit des AMR-Effekts von der Kristallrichtung des Stromflusses. Die experimentellen Ergebnisse stehen dabei in Einklang ...

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Translation of the abstract (English)

In this thesis the attributes of the lateral transport along the Fe/GaAs-interface have been studied. The spin-orbit-fields emerging from the spin-orbit-coupling and the symmetry of the interface lead to a anisotropy of the longitudinal resistance and to the dependence of the AMR-effect on the crystallographic direction of the current flow. The experimental results are in accord with a ...

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