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- URN to cite this document:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-319849
- DOI to cite this document:
- 10.5283/epub.31984
Abstract (German)
In dieser Arbeit wurden die Eigenschaften des lateralen Transports entlang der Fe/GaAs-Grenzfläche untersucht. Die aufgrund der Symmetrie dieser Grenzfläche und der Spin-Bahn-Kopplung entstehenden Spin-Bahn-Felder führen zu einer Anisotropie des Längswiderstands und zur Abhängigkeit des AMR-Effekts von der Kristallrichtung des Stromflusses. Die experimentellen Ergebnisse stehen dabei in Einklang ...
Translation of the abstract (English)
In this thesis the attributes of the lateral transport along the Fe/GaAs-interface have been studied. The spin-orbit-fields emerging from the spin-orbit-coupling and the symmetry of the interface lead to a anisotropy of the longitudinal resistance and to the dependence of the AMR-effect on the crystallographic direction of the current flow. The experimental results are in accord with a ...
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