In dieser Arbeit wurden die Eigenschaften des lateralen Transports entlang der Fe/GaAs-Grenzfläche untersucht. Die aufgrund der Symmetrie dieser Grenzfläche und der Spin-Bahn-Kopplung entstehenden Spin-Bahn-Felder führen zu einer Anisotropie des Längswiderstands und zur Abhängigkeit des AMR-Effekts von der Kristallrichtung des Stromflusses. Die experimentellen Ergebnisse stehen dabei in Einklang mit einem phänomenologischen Modell der entsprechenden Spin-Bahnfelder, das ursprünglich zur Beschreibung des TAMR-Effekts an diesem System entwickelt wurde. Durch die Verwendung von unterschiedlich dicken Eisenschichten konnte außerdem der Übergang vom zweidimensionalen, von den Grenzflächeneffekten beherrschten, Fall zum Fall dreidimensionalen Eisens beobachtet werden.

In this thesis the attributes of the lateral transport along the Fe/GaAs-interface have been studied. The spin-orbit-fields emerging from the spin-orbit-coupling and the symmetry of the interface lead to a anisotropy of the longitudinal resistance and to the dependence of the AMR-effect on the crystallographic direction of the current flow. The experimental results are in accord with a phenomenological model of the appropriate spin-orbit-fields which originally has been developed to describe the TAMR-effect in the same system. Additionally, due to the utilization of Fe-layers with different thicknesses, the transition between the interface-dominated two-dimensional state to the Fe-bulk like three dimensional state could be studied.