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In-plane tunneling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As/GaAs Esaki diodes in the regime of the ecxess current

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-320250

Shiogai, Junichi, Ciorga, Mariusz, Utz, Martin, Schuh, Dieter, Kohda, Makoto, Bougeard, Dominique, Nojima, Tsutomu, Weiss, Dieter und Nitta, Junsaku (2015) In-plane tunneling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As/GaAs Esaki diodes in the regime of the ecxess current. Applied Physics Letters 106 (26), S. 262402-1.

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Zusammenfassung

We investigate the angular dependence of the tunneling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As/n-GaAs spin Esaki diodes in the regime where the tunneling process is dominated by the excess current through midgap states in (Ga,Mn)As. We compare it to similar measurements performed in the regime of band-to-band tunneling. Whereas the latter show biaxial symmetry typical for magnetic anisotropy observed in (Ga,Mn)As samples, the former is dominated by uniaxial anisotropy along the 〈110〉 axes.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:29 Juni 2015
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4923309DOI
Stichwörter / Keywords:Tunneling, Anisotropy, Magnetic anisotropy, Tunneling diodes, Electric measurements
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:06 Jul 2015 12:56
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:38
Dokumenten-ID:32025
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