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A direct comparison of CVD-grown and exfoliated MoS2 using optical spectroscopy

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-322030

Plechinger, Gerd, Mann, J., Preciado, E., Barroso, D., Nguyen, A., Eroms, Jonathan, Schueller, Christian, Bartels, Ludwig und Korn, Tobias (2014) A direct comparison of CVD-grown and exfoliated MoS2 using optical spectroscopy. Semiconductor Science and Technology 29 (6), 064008.

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Andere URL zum Volltext: http://iopscience.iop.org/0268-1242/29/6/064008


Zusammenfassung

MoS2 is a highly interesting material, which exhibits a crossover from an indirect band gap in the bulk crystal to a direct gap for single layers. Here, we perform a direct comparison between large-area MoS2 films grown by chemical vapor deposition (CVD) and MoS2 flakes prepared by mechanical exfoliation from mineral bulk crystal. Raman spectroscopy measurements show differences between the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:5 Mai 2014
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0268-1242/29/6/064008DOI
Klassifikation:
NotationArt
81.15.Gh 63.20.D- 71.35.Cc 78.55.Hx 62.20.-x 71.20.NrPACS
Stichwörter / Keywords:MoS2, Raman spectroscopy, photoluminescence, excitons
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Jul 2015 12:43
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:39
Dokumenten-ID:32203
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