Startseite UR

Control of biaxial strain in singel-layer MoS2 using local thermal expansion of the substrate

Plechinger, Gerd, Castellanos-Gomez, Andres, Buscema, Michele, van der Zant, Herre S. J., Steele, Gary A., Kuc, Agnieszka, Heine, Thomas, Schueller, Christian und Korn, Tobias (2015) Control of biaxial strain in singel-layer MoS2 using local thermal expansion of the substrate. 2D Materials (2DM) 2 (1), 015006.

Im Publikationsserver gibt es leider keinen Volltext zu diesem Eintrag.

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

Single-layer MoS2 is a direct-gap semiconductor whose electronic band structure strongly depends on the strain applied to its crystal lattice. While uniaxial strain can be easily applied in a controlled way, e.g., by bending of a flexible substrate with the atomically thin MoS2 layer on top, experimental realization of biaxial strain is more challenging. Here, we exploit the large mismatch ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:16 März 2015
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/2053-1583/2/1/015006DOI
Klassifikation:
NotationArt
65.40.De Thermal expansion; thermomechanical effectsPACS
62.20.F- Deformation and plasticityPACS
81.40.Lm Deformation, plasticity, and creepPACS
71.20.Nr Semiconductor compoundsPACS
78.55.Hx Other solid inorganic materialsPACS
61.66.Fn Inorganic compoundsPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Jul 2015 12:54
Zuletzt geändert:20 Jul 2015 12:54
Dokumenten-ID:32205
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner