Plechinger, Gerd, Castellanos-Gomez, Andres, Buscema, Michele, van der Zant, Herre S. J., Steele, Gary A., Kuc, Agnieszka, Heine, Thomas, Schueller, Christian und Korn, Tobias (2015) Control of biaxial strain in singel-layer MoS2 using local thermal expansion of the substrate. 2D Materials (2DM) 2 (1), 015006.
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Zusammenfassung
Single-layer MoS2 is a direct-gap semiconductor whose electronic band structure strongly depends on the strain applied to its crystal lattice. While uniaxial strain can be easily applied in a controlled way, e.g., by bending of a flexible substrate with the atomically thin MoS2 layer on top, experimental realization of biaxial strain is more challenging. Here, we exploit the large mismatch ...

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Dokumentenart: | Artikel | ||||||||||||||
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Datum: | 16 März 2015 | ||||||||||||||
Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller | ||||||||||||||
Projekte: | SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen | ||||||||||||||
Identifikationsnummer: |
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Klassifikation: |
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Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||||||||||||
Status: | Veröffentlicht | ||||||||||||||
Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||||||||||||
An der Universität Regensburg entstanden: | Ja | ||||||||||||||
Eingebracht am: | 20 Jul 2015 12:54 | ||||||||||||||
Zuletzt geändert: | 20 Jul 2015 12:54 | ||||||||||||||
Dokumenten-ID: | 32205 |