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Absorbing/Emitting Phonons with one dimensional MOSFETs

Bosisio, Riccardo, Gorini, Cosimo, Fleury, Geneviève und Pichard, Jean-Louis (2015) Absorbing/Emitting Phonons with one dimensional MOSFETs. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 74, S. 340. (Im Druck)

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Zusammenfassung

We consider nanowires in the field effect transistor device configuration. Modeling each nanowire as a one dimensional lattice with random site potentials, we study the heat exchanges between the nanowire electrons and the substrate phonons, when electron transport is due to phonon-assisted hops between localized states. Shifting the nanowire conduction band with a metallic gate induces different ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2015
Zusätzliche Informationen (Öffentlich):Physica E special issue in memory of Markus Büttiker
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Klaus Richter
Identifikationsnummer:
WertTyp
1507.07315arXiv-ID
10.1016/j.physe.2015.07.012DOI
Stichwörter / Keywords:MOSFET; Heat management; Hopping transport; Semiconductor nanowires
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Im Druck
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:20 Aug 2015 10:50
Zuletzt geändert:08 Apr 2016 09:24
Dokumenten-ID:32352
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