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GaAs nanowires: Epitaxy, crystal structure-related properties and magnetic heterostructures

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-332026

Hubmann, Joachim (2016) GaAs nanowires: Epitaxy, crystal structure-related properties and magnetic heterostructures. Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg 48, Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

The intention of this work is twofold: On the one hand, we explore the controlability of GaAs nanowire growth concerning orientation, shape and crystal structure. These are necessary steps, since the growth of GaAs nanowires proceeds not necessarily uniformly, and in GaAs nanowires the in bulk unstable wurtzite phase, and the usual observed zinc-blende crystal phase may coexist in one and the ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

In dieser Arbeit werden zweierlei Eigenschaften im Nanodrahtwachstum untersucht: Einerseits, das Wachstum von GaAs Nanodrähten hinsichtlich Richtung, Form und Kristallstruktur. Diese Untersuchungen sind nötig, da sich GaAs Nanodrähte normalerweise nicht einheitlich bilden, und ihre Kristallstruktur zusätzlich zur im Volumenkristall stabilen kubischen Zinkblende-Phase die hexagonale Wurtzit-Phase ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Schriftenreihe der Universität Regensburg:Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg
Datum:8 April 2016
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Dominique Bougeard
Tag der Prüfung:22 Dezember 2015
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Stichwörter / Keywords:epitaxy, GaAs, nanowires, magnetic heterostructures
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:08 Apr 2016 10:59
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:39
Dokumenten-ID:33202
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