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GaAs nanowires: Epitaxy, crystal structure-related properties and magnetic heterostructures
Hubmann, Joachim (2016) GaAs nanowires: Epitaxy, crystal structure-related properties and magnetic heterostructures. Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg 48, PhD, Universität Regensburg.Date of publication of this fulltext: 08 Apr 2016 10:59
Thesis of the University of Regensburg
DOI to cite this document: 10.5283/epub.33202
Abstract (English)
The intention of this work is twofold: On the one hand, we explore the controlability of GaAs nanowire growth concerning orientation, shape and crystal structure. These are necessary steps, since the growth of GaAs nanowires proceeds not necessarily uniformly, and in GaAs nanowires the in bulk unstable wurtzite phase, and the usual observed zinc-blende crystal phase may coexist in one and the ...
The intention of this work is twofold: On the one hand, we explore the controlability of GaAs nanowire growth concerning orientation, shape and crystal structure. These are necessary steps, since the growth of GaAs nanowires proceeds not necessarily uniformly, and in GaAs nanowires the in bulk unstable wurtzite phase, and the usual observed zinc-blende crystal phase may coexist in one and the same nanowire. On the other hand, we include ferromagnetic materials into GaAs nanowires. To do that, we produce either "core/shell" structures, where the GaAs nanowire is coated with a ferromagnetic "shell" material, or grow ferromagnetic nanoscale segments in GaAs nanowires.
Translation of the abstract (German)
In dieser Arbeit werden zweierlei Eigenschaften im Nanodrahtwachstum untersucht: Einerseits, das Wachstum von GaAs Nanodrähten hinsichtlich Richtung, Form und Kristallstruktur. Diese Untersuchungen sind nötig, da sich GaAs Nanodrähte normalerweise nicht einheitlich bilden, und ihre Kristallstruktur zusätzlich zur im Volumenkristall stabilen kubischen Zinkblende-Phase die hexagonale Wurtzit-Phase ...
In dieser Arbeit werden zweierlei Eigenschaften im Nanodrahtwachstum untersucht: Einerseits, das Wachstum von GaAs Nanodrähten hinsichtlich Richtung, Form und Kristallstruktur. Diese Untersuchungen sind nötig, da sich GaAs Nanodrähte normalerweise nicht einheitlich bilden, und ihre Kristallstruktur zusätzlich zur im Volumenkristall stabilen kubischen Zinkblende-Phase die hexagonale Wurtzit-Phase aufweist. Andererseits werden ferromagnetische Materialien in GaAs Nanodrähte eingebracht. Dabei werden GaAs Nanodrähte mit einer Schale aus ferromagnetischen Material überzogen (eine sog. "core/shell"-Struktur), oder ferromagnetische Segmente in GaAs Nanodrähte gewachsen.
Involved Institutions
Details
| Item type | Thesis of the University of Regensburg (PhD) |
| Open Access Type: | Primary Publication |
|---|---|
| Series of the University of Regensburg: | Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg |
| Volume: | 48 |
| Date | 8 April 2016 |
| Referee | Prof. Dr. Dominique Bougeard |
| Date of exam | 22 December 2015 |
| Institutions | Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Chair Professor Huber > Group Dominique Bougeard |
| Keywords | epitaxy, GaAs, nanowires, magnetic heterostructures |
| Dewey Decimal Classification | 500 Science > 530 Physics |
| Status | Published |
| Refereed | Yes, this version has been refereed |
| Created at the University of Regensburg | Yes |
| URN of the UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-332026 |
| Item ID | 33202 |
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