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GaAs nanowires: Epitaxy, crystal structure-related properties and magnetic heterostructures

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-332026
DOI to cite this document:
10.5283/epub.33202
Hubmann, Joachim
Date of publication of this fulltext: 08 Apr 2016 10:59


Abstract (English)

The intention of this work is twofold: On the one hand, we explore the controlability of GaAs nanowire growth concerning orientation, shape and crystal structure. These are necessary steps, since the growth of GaAs nanowires proceeds not necessarily uniformly, and in GaAs nanowires the in bulk unstable wurtzite phase, and the usual observed zinc-blende crystal phase may coexist in one and the ...

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Translation of the abstract (German)

In dieser Arbeit werden zweierlei Eigenschaften im Nanodrahtwachstum untersucht: Einerseits, das Wachstum von GaAs Nanodrähten hinsichtlich Richtung, Form und Kristallstruktur. Diese Untersuchungen sind nötig, da sich GaAs Nanodrähte normalerweise nicht einheitlich bilden, und ihre Kristallstruktur zusätzlich zur im Volumenkristall stabilen kubischen Zinkblende-Phase die hexagonale Wurtzit-Phase ...

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