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Dynamic nuclear spin polarization in an all-semiconductor spin injection device with (Ga,Mn)As/n-GaAs spin Esaki diode

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-347588

Shiogai, Junichi, Ciorga, Mariusz, Utz, Martin, Schuh, Dieter, Arakawa, T., Kohda, M., Kobayashi, K., Ono, T., Wegscheider, W. und Weiss, Dieter (2012) Dynamic nuclear spin polarization in an all-semiconductor spin injection device with (Ga,Mn)As/n-GaAs spin Esaki diode. Applied Physics Letters 101, S. 212402.

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Zusammenfassung

We investigate the dynamic nuclear spinpolarization in an n-GaAs lateral channel induced by electrical spin injection from a (Ga,Mn)As/n-GaAs spin Esaki diode. Signatures of nuclear spinpolarization are studied in both three-terminal and non-local voltage signals, where a strong electron spin depolarization feature is observed close to zero magnetic field. This is due to the large nuclear field ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4767339DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:24 Okt 2016 14:10
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:41
Dokumenten-ID:34758
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