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Scanning transmission electron microscopy strain measurement from millisecond frames of a direct electron charge coupled device

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-347593

Müller, Knut, Ryll, Henning, Ordavo, Ivan, Ihle, Sebastian, Strüder, Lothar, Volz, Kerstin und Zweck, Josef (2012) Scanning transmission electron microscopy strain measurement from millisecond frames of a direct electron charge coupled device. Applied Physics Letters 101, S. 212110.

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Zusammenfassung

A high-speed direct electron detection system is introduced to the field of transmission electron microscopy and applied to strain measurements in semiconductor nanostructures. In particular, a focused electron probe with a diameter of 0.5 nm was scanned over a fourfold quantum layer stack with alternating compressive and tensile strain and diffracted discs have been recorded on a ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4767655DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:24 Okt 2016 14:12
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:41
Dokumenten-ID:34759
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