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Scanning transmission electron microscopy strain measurement from millisecond frames of a direct electron charge coupled device

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-347593
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.34759
Müller, Knut ; Ryll, Henning ; Ordavo, Ivan ; Ihle, Sebastian ; Strüder, Lothar ; Volz, Kerstin ; Zweck, Josef
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PDF - Veröffentlichte Version
(2MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 24 Okt 2016 14:12



Zusammenfassung

A high-speed direct electron detection system is introduced to the field of transmission electron microscopy and applied to strain measurements in semiconductor nanostructures. In particular, a focused electron probe with a diameter of 0.5 nm was scanned over a fourfold quantum layer stack with alternating compressive and tensile strain and diffracted discs have been recorded on a ...

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