Circular and linear photogalvanic effects in type-II GaSb/InAs quantum well structures in the inverted regime
Plank, Helene, Tarasenko, S. A., Hummel, T., Knebl, G., Pfeffer, P., Kamp, M., Höfling, S. und Ganichev, Sergey (2017) Circular and linear photogalvanic effects in type-II GaSb/InAs quantum well structures in the inverted regime. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 85, 193 - 198.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 29 Nov 2016 12:51
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures | ||||
| Verlag: | ELSEVIER SCIENCE BV | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | AMSTERDAM | ||||
| Band: | 85 | ||||
| Seitenbereich: | 193 - 198 | ||||
| Datum | 2017 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | TOPOLOGICAL INSULATORS; DEEP IMPURITIES; SEMICONDUCTORS; IONIZATION; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 34916 |
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