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Circular and linear photogalvanic effects in type-II GaSb/InAs quantum well structures in the inverted regime

Plank, Helene, Tarasenko, S.A., Hummel, T., Knebl, G., Pfeffer, P., Kamp, M., Höfling, S. und Ganichev, Sergey (2017) Circular and linear photogalvanic effects in type-II GaSb/InAs quantum well structures in the inverted regime. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 85, 193 - 198.

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Zusammenfassung

We report on the observation of photogalvanic effects induced by terahertz radiation in type-II GaSb/InAs quantum wells with inverted band order. Photocurrents are excited at oblique incidence of radiation and consist of several contributions varying differently with the change of the radiation polarization state; the one driven by the helicity and the other one driven by the linearly ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2017
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Projekte:Elite Network of Bavaria (K-NW-2013-247)
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.physe.2016.08.036DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:29 Nov 2016 12:51
Zuletzt geändert:29 Nov 2016 12:51
Dokumenten-ID:34916
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