Circular and linear photogalvanic effects in type-II GaSb/InAs quantum well structures in the inverted regime
Artikel
Plank, Helene, Tarasenko, S. A., Hummel, T., Knebl, G., Pfeffer, P., Kamp, M., Höfling, S. und Ganichev, Sergey (2017) Circular and linear photogalvanic effects in type-II GaSb/InAs quantum well structures in the inverted regime. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 85, 193 - 198.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures | ||||
| Verlag | ELSEVIER SCIENCE BV | ||||
| Ort der Veröffentlichung | AMSTERDAM | ||||
| Band | 85 | ||||
| Seitenbereich | 193 - 198 | ||||
| Datum | 2017 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 29 Nov 2016 12:51 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | TOPOLOGICAL INSULATORS; DEEP IMPURITIES; SEMICONDUCTORS; IONIZATION; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 34916 |
Bibliographische Daten exportieren
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
Altmetric
Altmetric