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Gate-tunable large magnetoresistance in an allsemiconductor spin valve device

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-365104

Oltscher, Martin, Eberle, Franz, Kuczmik, Thomas, Bayer, Andreas, Schuh, Dieter, Bougeard, Dominique, Ciorga, Mariusz und Weiss, Dieter (2017) Gate-tunable large magnetoresistance in an allsemiconductor spin valve device. Nature Communications 8 (1807).

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Andere URL zum Volltext: https://www.nature.com/articles/s41467-017-01933-2


Zusammenfassung

A large spin-dependent and electric field-tunable magnetoresistance of a two-dimensional electron system is a key ingredient for the realization of many novel concepts for spin-based electronic devices. The low magnetoresistance observed during the last few decades in devices with lateral semiconducting transport channels between ferromagnetic source and drain contacts has been the main obstacle ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:27 November 2017
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1038/s41467-017-01933-2DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:19 Jan 2018 10:11
Zuletzt geändert:01 Jun 2018 11:20
Dokumenten-ID:36510
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