Startseite UR

Gate-tunable large magnetoresistance in an allsemiconductor spin valve device

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-365104
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.36510
Oltscher, Martin ; Eberle, Franz ; Kuczmik, Thomas ; Bayer, Andreas ; Schuh, Dieter ; Bougeard, Dominique ; Ciorga, Mariusz ; Weiss, Dieter
[img]
Vorschau
Lizenz: Creative Commons Namensnennung 4.0 International
PDF - Veröffentlichte Version
(1MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Jan 2018 10:11



Zusammenfassung

A large spin-dependent and electric field-tunable magnetoresistance of a two-dimensional electron system is a key ingredient for the realization of many novel concepts for spin-based electronic devices. The low magnetoresistance observed during the last few decades in devices with lateral semiconducting transport channels between ferromagnetic source and drain contacts has been the main obstacle ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner