Startseite UR

Self-Diffusion in Amorphous Silicon by Local Bond Rearrangements

Kirschbaum, Jochen, Teuber, T., Donner, A., Radek, M., Bougeard, Dominique, Böttger, R., Lundsgaard Hansen, J., Nylandsted Larsen, A., Posselt, M. und Bracht, H. (2018) Self-Diffusion in Amorphous Silicon by Local Bond Rearrangements. Physical Review Letters 120, S. 225902.

[img]
Vorschau
PDF
Download (204kB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 11 Jun 2018 11:19

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:31 Mai 2018
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.120.225902DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Dokumenten-ID:37384
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner