| License: Publishing license for publications excluding print on demand (14MB) |
- URN to cite this document:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-384286
- DOI to cite this document:
- 10.5283/epub.38428
Abstract (English)
In this thesis, a number of transport effects in topological insulator nanostructures are investigated. A novel wet-chemical etching approach enabled the fabrication of high-quality nanostructures from strained HgTe thin films and CdTe/HgTe quantum wells and the investigations of topological boundary states in HgTe-based 2D and 3D topological insulators. Measurements of Hall bars, Aharonov-Bohm ...

Translation of the abstract (German)
In dieser Arbeit wird eine Reihe von Transporteffekten in topologischen Isolator-Nanostrukturen untersucht. Ein nasschemischer Ätzprozess ermöglicht die Herstellung hochwertiger Nanostrukturen aus verspannten HgTe und CdTe/HgTe-Quantentrögen, sowie die Untersuchung topologischer Oberflächenzuständen in HgTe-basierten 2D- und 3D topologischen Isolatoren. Messungen an Hall-Bars, ...

Download Statistics