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High-frequency rectification in graphene lateral p-n junctions
Vasilyev, A., Vasileva, G. Yu., Novikov, S., Tarasenko, S. A., Danilov, Sergey N. und Ganichev, Sergey
(2018)
High-frequency rectification in graphene lateral p-n junctions.
Applied Physics Letters (APL) 112, 041111.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 02 Apr 2019 07:50
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.40043
Zusammenfassung
We observe a dc electric current in response to terahertz radiation in lateral inter-digitated double-comb graphene p-n junctions. The junctions were fabricated by selective ultraviolet irradiation inducing p-type doping in intrinsic n-type epitaxial monolayer graphene. The photocurrent exhibits a strong polarization dependence and is explained by electric rectification in p-n junctions. Published by AIP Publishing.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters (APL) | ||||
| Verlag: | AMER INST PHYSICS | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | MELVILLE | ||||
| Band: | 112 | ||||
| Seitenbereich: | 041111 | ||||
| Datum | 2018 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | PHOTODETECTORS; PHOTORESPONSE; IRRADIATION; FIELD; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-400433 | ||||
| Dokumenten-ID | 40043 |
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