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Vasilyev, A. ; Vasileva, G. Yu. ; Novikov, S. ; Tarasenko, S. A. ; Danilov, Sergey N. ; Ganichev, Sergey

High-frequency rectification in graphene lateral p-n junctions

Vasilyev, A., Vasileva, G. Yu., Novikov, S., Tarasenko, S. A., Danilov, Sergey N. und Ganichev, Sergey (2018) High-frequency rectification in graphene lateral p-n junctions. Applied Physics Letters (APL) 112, 041111.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 02 Apr 2019 07:50
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.40043


Zusammenfassung

We observe a dc electric current in response to terahertz radiation in lateral inter-digitated double-comb graphene p-n junctions. The junctions were fabricated by selective ultraviolet irradiation inducing p-type doping in intrinsic n-type epitaxial monolayer graphene. The photocurrent exhibits a strong polarization dependence and is explained by electric rectification in p-n junctions. Published by AIP Publishing.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftApplied Physics Letters (APL)
Verlag:AMER INST PHYSICS
Ort der Veröffentlichung:MELVILLE
Band:112
Seitenbereich:041111
Datum2018
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1063/1.5013100DOI
Stichwörter / KeywordsPHOTODETECTORS; PHOTORESPONSE; IRRADIATION; FIELD;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-400433
Dokumenten-ID40043

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