High Aspect Ratio GaN Fin Microstructures with Nonpolar Sidewalls by Continuous Mode Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Hartmann, Jana, Steib, Frederik, Zhou, Hao, Ledig, Johannes, Fündling, Sönke, Albrecht, Friederike, Schimpke, Tilman, Avramescu, Adrian, Varghese, Tansen, Wehmann, Hergo-Heinrich, Straßburg, Martin, Lugauer, Hans-Jürgen und Waag, Andreas (2016) High Aspect Ratio GaN Fin Microstructures with Nonpolar Sidewalls by Continuous Mode Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Crystal Growth & Design 16 (3), S. 1458-1462.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 11:01
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Crystal Growth & Design | ||||
| Band: | 16 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 1458-1462 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 41848 |
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