Influence of oval defects on transport properties in high-mobility two-dimensional electron gases
Bockhorn, L., Velieva, A., Hakim, S., Wagner, T., Rugeramigabo, E. P., Schuh, D., Reichl, C., Wegscheider, W. und Haug, R. J.
(2016)
Influence of oval defects on transport properties in high-mobility two-dimensional electron gases.
Applied Physics Letters 108 (9), 092103.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 11:01
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Verlag: | AMER INST PHYSICS | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | MELVILLE | ||||
| Band: | 108 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 9 | ||||
| Seitenbereich: | 092103 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | MOLECULAR-BEAM EPITAXY; ORIGIN; GROWTH; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 41887 |
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