Wide Band-Gap Bismuth-based p-Dopants for Opto-Electronic Applications
Pecqueur, Sébastien, Maltenberger, Anna, Petrukhina, Marina A., Halik, Marcus, Jaeger, Arndt, Pentlehner, Dominik und Schmid, Günter (2016) Wide Band-Gap Bismuth-based p-Dopants for Opto-Electronic Applications. Angewandte Chemie International Edition 55 (35), S. 10493-10497.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 11:29
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Angewandte Chemie International Edition | ||||
| Band: | 55 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 35 | ||||
| Seitenbereich: | S. 10493-10497 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 42508 |
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