Opto-electronic characterization of three dimensional topological insulators
Plank, H., Danilov, S. N., Bel'kov, V. V., Shalygin, V. A., Kampmeier, J., Lanius, M., Mussler, G., Grützmacher, D. und Ganichev, S. D. (2016) Opto-electronic characterization of three dimensional topological insulators. Journal of Applied Physics 120 (16), S. 165301.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 12:07
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Applied Physics | ||||
| Verlag: | AMER INST PHYSICS | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | MELVILLE | ||||
| Band: | 120 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 16 | ||||
| Seitenbereich: | S. 165301 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | MOLECULAR-BEAM EPITAXY; SINGLE DIRAC CONE; THIN-FILMS; DEEP IMPURITIES; BI2TE3 FILMS; SURFACE; BI2SE3; TRANSPORT; SB2TE3; GROWTH; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 42896 |
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