Significant Carrier Extraction Enhancement at the Interface of an InN/p-GaN Heterojunction under Reverse Bias Voltage
Artikel
Svrcek, Vladimir, Kolenda, Marek, Kadys, Arunas, Reklaitis, Ignas, Dobrovolskas, Darius, Malinauskas, Tadas, Lozach, Mickael, Mariotti, Davide, Strassburg, Martin und Tomašiūnas, Roland (2018) Significant Carrier Extraction Enhancement at the Interface of an InN/p-GaN Heterojunction under Reverse Bias Voltage. Nanomaterials 8 (12), S. 1039.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Nanomaterials | ||||
| Band | 8 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 12 | ||||
| Seitenbereich | S. 1039 | ||||
| Datum | 2018 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 28 Jul 2021 16:53 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 46504 |
Bibliographische Daten exportieren
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
Altmetric
Altmetric