Significant Carrier Extraction Enhancement at the Interface of an InN/p-GaN Heterojunction under Reverse Bias Voltage
Svrcek, Vladimir, Kolenda, Marek, Kadys, Arunas, Reklaitis, Ignas, Dobrovolskas, Darius, Malinauskas, Tadas, Lozach, Mickael, Mariotti, Davide, Strassburg, Martin und Tomašiūnas, Roland (2018) Significant Carrier Extraction Enhancement at the Interface of an InN/p-GaN Heterojunction under Reverse Bias Voltage. Nanomaterials 8 (12), S. 1039.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 28 Jul 2021 16:53
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Nanomaterials | ||||
| Band: | 8 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 12 | ||||
| Seitenbereich: | S. 1039 | ||||
| Datum | 2018 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 46504 |
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