Quantitative scanning spreading resistance microscopy on n-type dopant diffusion profiles in germanium and the origin of dopant deactivation
Artikel
Prüßing, Jan K., Hamdana, Gerry, Bougeard, Dominique, Peiner, Erwin
und Bracht, Hartmut
(2019)
Quantitative scanning spreading resistance microscopy on n-type dopant diffusion profiles in germanium and the origin of dopant deactivation.
Journal of Applied Physics 125 (8), 085105.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Applied Physics | ||||
| Verlag | AMER INST PHYSICS | ||||
| Ort der Veröffentlichung | MELVILLE | ||||
| Band | 125 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 8 | ||||
| Seitenbereich | 085105 | ||||
| Datum | 2019 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 03 Sep 2021 10:04 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | SURFACE-STATES; GE; SILICON; RESOLUTION; TRANSPORT; IMPLANTS; DEFECTS; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 48962 |
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