Time of carrier escape and recombination coefficients in InGaN quantum-well active regions of blue, cyan, and green light-emitting diodes
Artikel
Reklaitis, I., Krencius, L., Malinauskas, T., Karpov, S. Yu, Lugauer, H. J., Pietzonka, I., Strassburg, M., Vitta, P. und Tomašiūnas, R. (2018) Time of carrier escape and recombination coefficients in InGaN quantum-well active regions of blue, cyan, and green light-emitting diodes. Semiconductor Science and Technology 34 (1), 015007.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Semiconductor Science and Technology | ||||
| Band | 34 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 1 | ||||
| Seitenbereich | 015007 | ||||
| Datum | 2018 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 03 Sep 2021 10:10 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 49230 |
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