Light-field-driven electronics in the mid-infrared regime: Schottky rectification

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-531916
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.53191

Schlecht, Maria T. ; Knorr, Matthias ; Schmid, Christoph P. ; Malzer, Stefan ; Huber, Rupert

; Weber, Heiko B.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 14 Nov 2022 09:30

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The speed of an active electronic semiconductor device is limited by RC timescale, i.e., the time required for its charging and discharging. To circumvent this ubiquitous limitation of conventional electronics, we investigate diodes under intense mid-infrared light-field pulses. We choose epitaxial graphene on silicon carbide as a metal/semiconductor pair, acting as an ultrarobust and ...

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