Gating of Two-Dimensional Electron Systems in (In,Ga)As/(In,Al)As Heterostructures: The Role of Intrinsic (In,Al)As Deep Donor Defects
Prager, Michael
, Trottmann, Michaela, Schmidt, Jaydean , Ebnet, Lucia, Schuh, Dieter und Bougeard, Dominique
(2021)
Gating of Two-Dimensional Electron Systems in (In,Ga)As/(In,Al)As Heterostructures: The Role of Intrinsic (In,Al)As Deep Donor Defects.
Physical Review Applied 16 (6).
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 29 Feb 2024 12:12
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physical Review Applied | ||||
| Verlag: | AMER PHYSICAL SOC | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | COLLEGE PK | ||||
| Band: | 16 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 6 | ||||
| Datum | 2021 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | TOPOLOGICAL SUPERCONDUCTIVITY; SCATTERING MECHANISMS; QUANTUM-WELLS | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 55742 |
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