Retarded boron and phosphorus diffusion in silicon nanopillars due to stress induced vacancy injection
Artikel
Prüßing, Jan K., Böckendorf, Tim, Kipke, Felix, Xu, Jiushuai, Puranto, Prabowo, Lundsgaard Hansen, John, Bougeard, Dominique, Peiner, Erwin und Bracht, Hartmut (2022) Retarded boron and phosphorus diffusion in silicon nanopillars due to stress induced vacancy injection. Journal of Applied Physics 131 (7).Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Applied Physics | ||||
| Verlag | AIP Publishing | ||||
| Ort der Veröffentlichung | MELVILLE | ||||
| Band | 131 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 7 | ||||
| Datum | 2022 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 29 Feb 2024 12:56 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | DOPANT; NANOWIRES; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 57489 |
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