AlGaN/GaN HEMT’s photoresponse to high intensity THz radiation
Dyakonova, N., But, D.B.
, Coquillat, D., Knap, W., Drexler, C., Olbrich, P., Karch, J., Schafberger, M., Ganichev, S.D., Ducournau, G., Gaquiere, C., Poisson, M.−A., Delage, S., Cywinski, G. und Skierbiszewski, C.
(2015)
AlGaN/GaN HEMT’s photoresponse to high intensity THz radiation.
Opto-Electronics Review 23 (3).
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 07:27
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Opto-Electronics Review | ||||
| Verlag: | WALTER DE GRUYTER GMBH | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | BERLIN | ||||
| Band: | 23 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Datum | 2015 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | FIELD-EFFECT TRANSISTORS; TERAHERTZ RADIATION; terahertz; photoresponse; HEMT; ALGaN/GaN | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 60186 |
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