Black Arsenic–Phosphorus: Layered Anisotropic Infrared Semiconductors with Highly Tunable Compositions and Properties
Liu, Bilu, Köpf, Marianne, Abbas, Ahmad N., Wang, Xiaomu
, Guo, Qiushi , Jia, Yichen , Xia, Fengnian , Weihrich, Richard, Bachhuber, Frederik, Pielnhofer, Florian , Wang, Han , Dhall, Rohan, Cronin, Stephen B., Ge, Mingyuan, Fang, Xin, Nilges, Tom und Zhou, Chongwu
(2015)
Black Arsenic–Phosphorus: Layered Anisotropic Infrared Semiconductors with Highly Tunable Compositions and Properties.
Advanced Materials 27 (30), S. 4423-4429.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 07:27
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Advanced Materials | ||||
| Verlag: | WILEY-V C H VERLAG GMBH | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | WEINHEIM | ||||
| Band: | 27 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 30 | ||||
| Seitenbereich: | S. 4423-4429 | ||||
| Datum | 2015 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie > Arbeitskreis Dr. Richard Weihrich | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; FIELD-EFFECT TRANSISTORS; MOLYBDENUM-DISULFIDE; MOS2 TRANSISTORS; GROWTH; GRAPHENE; PHASE; OPTOELECTRONICS; ELECTRONICS; TRANSITION; anisotropic; band gaps; black arsenic; black phosphorus; infrared semiconductors; layered materials | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 60204 |
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