Topography of (202¯1) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy
Ploch, Simon, Wernicke, Tim, Thalmair, Johannes, Lohr, Matthias, Pristovsek, Markus
, Zweck, Josef, Weyers, Markus und Kneissl, Michael
(2012)
Topography of (202¯1) AlGaN, GaN and InGaN layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy.
Journal of Crystal Growth 356, S. 70-74.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 09:35
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Crystal Growth | ||||
| Verlag: | ELSEVIER SCIENCE BV | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | AMSTERDAM | ||||
| Band: | 356 | ||||
| Seitenbereich: | S. 70-74 | ||||
| Datum | 2012 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | ; Crystal morphology; Metal-organic vapor phase epitaxy; Nitrides; Semiconducting gallium compounds | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 63356 |
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