Excited state properties of Si quantum dots
Zhang, Rui‐Qin
, De Sarkar, Abir, Niehaus, Thomas A. und Frauenheim, Thomas
(2012)
Excited state properties of Si quantum dots.
physica status solidi (b) 249 (2), S. 401-412.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 09:43
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | physica status solidi (b) | ||||
| Verlag: | WILEY-V C H VERLAG GMBH | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | WEINHEIM | ||||
| Band: | 249 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 2 | ||||
| Seitenbereich: | S. 401-412 | ||||
| Datum | 2012 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Theoretische Physik Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Thomas Niehaus Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | HYDROGENATED SILICON CLUSTERS; OPTICAL-PROPERTIES; ELECTRONIC-PROPERTIES; POROUS SILICON; SURFACE-STATES; LUMINESCENCE PROPERTIES; NANOCRYSTALS; DENSITY; NANOCLUSTERS; EMISSION; density-functional tight-binding theory; excited state; Si quantum dots; surface | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 64086 |
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