Indium incorporation in GaInN/GaN quantum well structures on polar and nonpolar surfaces
Jönen, Holger, Rossow, Uwe, Bremers, Heiko, Hoffmann, Lars, Brendel, Moritz, Dräger, Alexander Daniel, Metzner, Sebastian, Bertram, Frank
, Christen, Jürgen, Schwaiger, Stephan, Scholz, Ferdinand, Thalmair, Johannes, Zweck, Josef und Hangleiter, Andreas
(2011)
Indium incorporation in GaInN/GaN quantum well structures on polar and nonpolar surfaces.
physica status solidi (b) 248 (3), S. 600-604.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 11:13
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | physica status solidi (b) | ||||
| Verlag: | WILEY-BLACKWELL | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | MALDEN | ||||
| Band: | 248 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 600-604 | ||||
| Datum | 2011 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | LIGHT-EMITTING-DIODES; M-PLANE; SUBSTRATE MISCUT; STACKING-FAULTS; GAN; FIELDS; IMPACT; GaInN; metal-organic vapor phase epitaxy; photoluminescence; quantum wells; X-ray diffraction | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 65169 |
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