Formation of nanostructures in a heterojunction with a deeply located 2D electron gas via the method of high-voltage anodic-oxidation lithography using an atomic-force microscope
Artikel
Mel’nikov, M. Yu., Khrapai, V. S. und Schuh, D. (2008) Formation of nanostructures in a heterojunction with a deeply located 2D electron gas via the method of high-voltage anodic-oxidation lithography using an atomic-force microscope. Instruments and Experimental Techniques 51 (4), S. 617-624.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Instruments and Experimental Techniques | ||||
| Verlag | MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER | ||||
| Ort der Veröffentlichung | NEW YORK | ||||
| Band | 51 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 4 | ||||
| Seitenbereich | S. 617-624 | ||||
| Datum | 2008 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 13:15 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Rupert Huber | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | SCANNED PROBE OXIDATION; FABRICATION; SILICON; GAAS; TRANSISTOR; AFM; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 68014 |
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