Optimization of nucleation and buffer layer growth for improved GaN quality
Hertkorn, J., Brückner, P., Thapa, S.B., Wunderer, T., Scholz, F., Feneberg, M.
, Thonke, K., Sauer, R., Beer, M. und Zweck, J.
(2007)
Optimization of nucleation and buffer layer growth for improved GaN quality.
Journal of Crystal Growth 308 (1), S. 30-36.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 13:41
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Crystal Growth | ||||
| Verlag: | ELSEVIER SCIENCE BV | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | AMSTERDAM | ||||
| Band: | 308 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 1 | ||||
| Seitenbereich: | S. 30-36 | ||||
| Datum | 2007 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH; ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES; THREADING DISLOCATIONS; SAPPHIRE SUBSTRATE; ELECTRON-GAS; X-RAY; MOBILITY; SURFACE; GAN/ALGAN; DENSITY; atomic force microscopy; high resolution x-ray diffraction; nucleation; metalorganic vapor phase epitaxy; nitrides; high electron mobility transistors | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 68822 |
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