Simulation of longitudinal instabilities in filamentary current flow during low‐temperature impurity breakdown in semiconductors
Murawski, J., Schwarz, G., Novák, V., Prettl, W. und Schöll, E. (2005) Simulation of longitudinal instabilities in filamentary current flow during low‐temperature impurity breakdown in semiconductors. ZAMM - Journal of Applied Mathematics and Mechanics / Zeitschrift für Angewandte Mathematik und Mechanik 85 (11), S. 823-835.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 14:55
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | ZAMM - Journal of Applied Mathematics and Mechanics / Zeitschrift für Angewandte Mathematik und Mechanik | ||||
| Verlag: | WILEY-V C H VERLAG GMBH | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | WEINHEIM | ||||
| Band: | 85 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 11 | ||||
| Seitenbereich: | S. 823-835 | ||||
| Datum | 2005 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | N-TYPE GAAS; DIFFERENT CONTACT GEOMETRIES; IMPACT-IONIZATION; OSCILLATIONS; PATTERNS; PHOTOLUMINESCENCE; EQUATIONS; DYNAMICS; FIELDS; CHAOS; simulation; semiconductors; current filaments; instabilities | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 70407 |
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