Current filamentation in n-GaAs thin films with different contact geometries
Artikel
Schwarz, G, Lehmann, C, Reimann, A, Schöll, E, Hirschinger, J, Prettl, W und Novák, V (2000) Current filamentation in n-GaAs thin films with different contact geometries. Semiconductor Science and Technology 15 (6), S. 593-603.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Semiconductor Science and Technology | ||||
| Verlag | IOP PUBLISHING LTD | ||||
| Ort der Veröffentlichung | BRISTOL | ||||
| Band | 15 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 6 | ||||
| Seitenbereich | S. 593-603 | ||||
| Datum | 2000 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 15:58 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | TEMPERATURE IMPURITY BREAKDOWN; BREATHING CURRENT FILAMENTS; MONTE-CARLO SIMULATION; P-TYPE GERMANIUM; IMPACT-IONIZATION; NONLINEAR DYNAMICS; SPATIAL STRUCTURE; MAGNETIC-FIELDS; SEMICONDUCTORS; OSCILLATIONS; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 74253 |
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