Structural properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrates suitable for high-electron mobility transistors
Artikel
Kaiser, S., Jakob, M., Zweck, J., Gebhardt, W., Ambacher, O., Dimitrov, R., Schremer, A. T., Smart, J. A. und Shealy, J. R. (2000) Structural properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrates suitable for high-electron mobility transistors. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 18 (2), S. 733-740.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena | ||||
| Verlag | AMER INST PHYSICS | ||||
| Ort der Veröffentlichung | MELVILLE | ||||
| Band | 18 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 2 | ||||
| Seitenbereich | S. 733-740 | ||||
| Datum | 2000 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 15:59 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | MOLECULAR-BEAM EPITAXY; LIGHT-EMITTING-DIODES; GAN; NITRIDE; SILICON; GROWTH | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 74404 |
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