Structural properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrates suitable for high-electron mobility transistors
Kaiser, S., Jakob, M., Zweck, J., Gebhardt, W., Ambacher, O., Dimitrov, R., Schremer, A. T., Smart, J. A. und Shealy, J. R. (2000) Structural properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrates suitable for high-electron mobility transistors. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 18 (2), S. 733-740.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 15:59
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Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena | ||||
| Verlag: | AMER INST PHYSICS | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | MELVILLE | ||||
| Band: | 18 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 2 | ||||
| Seitenbereich: | S. 733-740 | ||||
| Datum | 2000 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | MOLECULAR-BEAM EPITAXY; LIGHT-EMITTING-DIODES; GAN; NITRIDE; SILICON; GROWTH | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 74404 |
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