Current filament patterns inn-GaAs layers with different contact geometries
Hirschinger, J., Niedernostheide, F-J., Prettl, W. und Novák, V. (2000) Current filament patterns inn-GaAs layers with different contact geometries. Physical Review B 61 (3), S. 1952-1958.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 16:00
Artikel
Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physical Review B | ||||
| Verlag: | AMER PHYSICAL SOC | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | COLLEGE PK | ||||
| Band: | 61 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 1952-1958 | ||||
| Datum | 2000 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | P-TYPE GERMANIUM; MAGNETIC-FIELD; IMPURITY-BREAKDOWN; IMPACT IONIZATION; DYNAMICS; SEMICONDUCTORS; OSCILLATIONS; NUCLEATION; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 74465 |
Bibliographische Daten exportieren
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
Altmetric
Altmetric