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Electronic Raman scattering in p-doped GaAs/Ga1-xAlxAs quantum-well structures: Scattering mechanisms and many-particle interactions

Schüller, Christian, Krause, Jürgen, Schaack, G., Weimann, G. und Panzlaff, K. (1994) Electronic Raman scattering in p-doped GaAs/Ga1-xAlxAs quantum-well structures: Scattering mechanisms and many-particle interactions. Physical Review B (PRB) 50 (24), S. 18387-18394.

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Zusammenfassung

By means of resonance Raman spectroscopy we have investigated intersubband transitions of quasi-two-dimensional (2D) hole gases in p-type modulation-doped GaAs/Ga1-xAlxAs quantum-well structures. The observed excitations have an essentially single-particle character due to Landau damping of collective excitations and due to single-particle scattering by energy-density fluctuations under ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:15 Dezember 1994
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.50.18387DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.20.Mf, 73.20.Dx, 78.30.FsPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Sep 2009 07:49
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:22
Dokumenten-ID:9575
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