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Halbleiter-Übergitter-Schalter

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-331
Ellmauer, Michael
Date of publication of this fulltext: 05 Sep 2001 10:45


Abstract (German)

Im Rahmen dieser Arbeit wurde erstmals ein Halbleiter-Übergitter-Schalter untersucht. Das Übergitter, das als Schalter wirkte, bestand aus einer periodischen Abfolge von Quantentöpfen (17 Monolagen) und -barrieren (3 Monolagen), die durch epitaktisch gewachsene GaAs- und AlAs-Schichten gebildet wurden. Das Übergitter zeigte in seinen elektrischen Eigenschaften Bistabilität mit einem Zustand ...

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Translation of the abstract (English)

In this work a semiconductor superlattice switch was investigated for the first time. The superlattice working as a switch consisted of a periodic sequence of quantum wells and barriers, which were formed by epitactically grown GaAs and AlAs layers. The superlattice showed bistability in its electrical properties with one state of low and one state of higher conductance. The bistability can be ...

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