Eberl, Karl, Friess, H., Wegscheider, Werner, Menczigar, U. und Abstreiter, Gerhard (1989) Improvement of structural properties of Si/Ge superlattices. Thin Solid Films 183 (1-2), S. 95-103.
![[img]](https://epub.uni-regensburg.de/style/images/fileicons/application_pdf.png) | PDF Download (585kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs |
Zum Artikel beim Verlag (über DOI)
Zusammenfassung
Short-period Si/Ge strained-layer superlattices are grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si(100) and Ge(100) substrates. Low-energy electron diffraction and Auger electron spectroscopy are performed between growth intervals, to obtain structural and compositional information. Raman spectroscopy and transmission electron microscopy are used for ex-situ characterization. Different buffer ...
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 30 Dezember 1989 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer: |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Eingebracht am: | 26 Okt 2009 13:15 | ||||
| Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:22 | ||||
| Dokumenten-ID: | 9978 |
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
Downloadstatistik