Realisierung hochbeweglicher zweidimensionaler Ladungsträgersysteme auf (100) und (110) GaAs Oberflächen

Ziel dieses Vorhabens ist die Optimierung der Beweglichkeiten von zweidimensionalen Ladungsträgersystemen auf unterschiedlichen GaAs-Oberflächen. Damit soll die Basis geschaffen werden, höchstbewegliche Elektronenschichten für Untersuchungen zum fraktionalen Quanten-Hall-Effekt auf der Standard (100) Oberfläche auch für andere Projekte im Schwerpunkt bereitzustellen. Die Erhöhung der Elektronenbeweglichkeiten könnte aber auch zu neuen Effekten im Bereich niedriger Dichte und hoher Magnetfelder, wie z.B. der Wignerkristallisation, führen. Auf vizinalen Oberflächen soll untersucht werden, ob das kürzlich gefundene und bisher nicht verstandene anisotrope Verhalten des zweidimensionalen Elektronengases in höheren Landauniveaus durch strukturelle Anisotropien verursacht wird. Desweiteren ist eine Optimierung der Elektronenbeweglichkeiten auf (110) Oberflächen für das Wachstum auf Spaltflächen geplant, wobei eine künstliche Anisotropie im ersten Wachstumsschritt gezielt eingebracht werden kann. Auf (311) Oberflächen ist die Realisierung hochbeweglicher Löcherkanäle geplant, wobei ein wesentlicher Aspekt auch hier die Untersuchung der Anisotropieeigenschaften aufgrund von strukturellen oder intrinsischen Bandstruktureigenschaften ist.