Elektrostatisch definierte Spin Qubits in Si/SiGe: Bauteile und Materialien mit spezifisch eingestell-ten Kernspingehalten (C 04)

Im Projekt werden Heterostrukturen und elektrostatisch definierte Quantenpunkt-Bauteile entwi-ckelt. Ziel ist es kohärente Kontrolle von Spin Qubits in Silizium-basierten Wirtsumgebungen zu de-monstrieren, deren Gehalte an Kernspins gezielt eingestellt werden. Der Kernspingehalt wird wäh- 11 rend des Molekularstrahlepitaxieprozesses der aktiven Schicht der Heterostruktur unter Verwendung isotopenreinen Quellenmaterials ausgewählt. Die aktive Schicht enthält ein zweidimensionales Elekt-ronensystem welches in einer Siliziumschicht eingeschlossen ist. Diese Siliziumschicht wird durch eine Silizium-Germanium-Legierung verspannt (Si/SiGe). Auf der Oberfläche der Heterostruktur ab-geschiedene Metallgatter erlauben durch den Feldeffekt die elektrostatische Definition von Quan-tenpunkten.