Vorgsehen ist, den spinpolarisierten Transport heißer Elektronen an voll-epitaktischen magnetischenTunneltransistor-Strukturen (MTT) zu studieren. Durch den einkristallinen Aufbau soll der Anteil derDefektstreuung reduziert werden, woraus eine Erhöhung des ballistischen Stroms und seiner Spinpolarisationresultiert. Mittels ballistischer Elektronen-Emissions-Mikroskopie (BEEM) ist beabsichtigt,die Homogenität des Transports mit 1 nm lateraler Auflösung zu untersuchen. Ein optimierter MTTsoll die effiziente Injektion hoch-spinpolarisierter Elektronen in den Halbleiter ermöglichen.
