Die Untersuchung von magnetischen und spinpolarisierten Halbleiterheterostrukturen nimmt gegenwärtigeine prominente Stellung innerhalb der experimentellen und theoretischen Festkörperphysikein, da sich für diese Systeme vielfältige Anwendungsmöglichkeiten bei der Realisierung von aufSpintronik-Effekten basierenden elektronischen Bauteilen auftun. In diesem Projekt sollen breitangelegteBerechnungen zu den elektronischen, magnetischen und Transporteigenschaften von zweidimensionalenIII-V Halbleiterheterostrukturen durchgeführt werden. Es ist geplant, sowohl magnetische,auf GaMnAs basierende Heterostrukturen, als auch nichtmagnetische aber spinpolarisierte GaAs Heterostrukturen,die eine durch die reduzierte Dimensionalität verstärkte Spin-Bahn Wechselwirkungaufweisen, zu betrachten.
