In Project A01 werden Materialien hergestellt, die Zugang zu helikalen topologisch geschützten Oberflächenzuständen und Elektronen-Spin-Bahn-Effekten in Halbleitern ermöglichen, und deren Eigenschaften in Magnetotransportexperimenten untersucht. Das Projekt ist in zwei Themenblöcke gegliedert: Teil A beinhaltet (Bi1-xSbx)2(Te1-ySey)3 als dreidimensionalen topologischen Isolator, Teil B konzentriert sich auf Elektronen-Systeme in InAs-basierten Schichten mit starker Spin-Bahn-Kopplung. Beide Teile legen den Schwerpunkt sowohl auf das Design der Bandstruktur durch Viellagen-Heterostrukturen die mittels Molekularstrahl-Epitaxie hergestellt werden, als auch auf die Magnetotransporteigenschaften dieser Strukturen.
