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Druckinduzierte Phasenübergänge in Halbleitern mit Ab-initio-Methoden

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-4008
Gaál-Nagy, Katalin
Date of publication of this fulltext: 30 Jul 2004 15:36


Abstract (German)

In dieser Arbeit wurden Hochdruckphasenübergänge in Elementhalbleitern anhand der Phasenabfolge cd->beta-tin->Imma->sh in Silizium und Germanium exemplarisch untersucht. Die Ergebnisse basieren auf Gesamtenergieberechnungen, welche im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie und Dichtefunktionalstörungstheorie unter Verwendung der Programme VASP und PWSCF durchgeführt wurden. Hierbei wurden die ...

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Translation of the abstract (English)

In this work, the high-pressure phase transitions in elementary semiconductors are investigated. Specially the sequence cd->beta-tin->Imma->sh in Silicon and Germanium is examined. The results are based on total-energy calculations using the plane-wave pseudopotential approach to the density-functional and density-functional perturbation theory implemented in VASP and PWSCF. The ...

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