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Verlustmechanismen und Degradation von blauen (Al,In)GaN Laserdioden

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-4688
DOI to cite this document:
10.5283/epub.10288
Schödl, Thomas
Date of publication of this fulltext: 21 Feb 2005 06:57


Abstract (German)

Ziel dieser Arbeit ist es, das Degradationsverhalten, sowie Verlustmechanismen von Laserdioden auf SiC- oder GaN-Substrat zu klassifizieren und somit die Lebensdauer der Laserdioden zu erhöhen. Dazu möchte ich zuerst die verwendeten Materialsysteme vorstellen und auf einzelne Probleme beim Wachstum der Schichten eingehen. Danach gehe ich auf die Funktionsweise der GaN-Laserdioden ein und stelle ...

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Translation of the abstract (English)

Goal of this work is to classify the degradation and loss mechanisms of blue laserdiodes on GaN and SiC substrates. First I introduce a method to calculate the nearfield of the optical mode with the Transfer-matrix-method. With this method it is possible to improve the epitactical structure of the laserdiode and suppress loss modes in the substrate. Further I explain the advantages of ...

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