Anzahl der Einträge in dieser Kategorie: 97.
2011
2010
Rass, Jens ,
Wernicke, Tim,
Scheibenzuber, Wolfgang G.,
Schwarz, Ulrich T. ,
Kupec, Jan,
Witzigmann, Bernd,
Vogt, Patrick,
Einfeldt, Sven,
Weyers, Markus und
Kneissl, Michael
(2010)
Polarization of eigenmodes in laser diode waveguides on semipolar and nonpolar GaN.
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 4 (1-2), S. 1-3.
Volltext nicht vorhanden.
2009
Hertkorn, J.,
Thapa, S. B.,
Wunderer, T.,
Scholz, F.,
Wu, Z. H.,
Wei, Q. Y.,
Ponce, F. A. ,
Moram, M. A.,
Humphreys, C. J.,
Vierheilig, C. und
Schwarz, U. T.
(2009)
Highly conductive modulation doped composition graded p-AlGaN/(AlN)/GaN multiheterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy.
Journal of Applied Physics 106 (1).
Volltext nicht vorhanden.
Braun, Harald,
Rogowsky, Stephan,
Schwarz, Ulrich T. ,
Bruninghoff, Stefanie,
Lell, Alfred,
Lutgen, Stephan und
Strauss, Uwe
(2009)
Supermodes in Broad Ridge (Al,In)GaN Laser Diodes.
IEEE Journal of Quantum Electronics 45 (9), S. 1074-1083.
Volltext nicht vorhanden.
Wiesmann, Christopher,
Bergenek, Krister,
Houdre, Romuald ,
Stanley, Ross P.,
Linder, Norbert und
Schwarz, Ulrich T.
(2009)
Theoretical Investigation of the Radiation Pattern From LEDs Incorporating Shallow Photonic Crystals.
IEEE Journal of Quantum Electronics 45 (10), S. 1273-1283.
Volltext nicht vorhanden.
2008
Scholz, Dominik,
Braun, Harald,
Schwarz, Ulrich T. ,
Brüninghoff, Stefanie,
Queren, Désirée,
Lell, Alfred und
Strauss, Uwe
(2008)
Measurement and simulation of filamentation in (Al,In)GaN laser diodes.
Optics Express 16 (10), S. 6846.
Volltext nicht vorhanden.
Meyer, Tobias,
Braun, Harald,
Schwarz, Ulrich T. ,
Tautz, Sönke,
Schillgalies, Marc,
Lutgen, Stephan und
Strauss, Uwe
(2008)
Spectral dynamics of 405 nm (Al,In)GaN laser diodes grown on GaN and SiC substrate.
Optics Express 16 (10), S. 6833.
Volltext nicht vorhanden.
2007
Witzigmann, B.,
Laino, V.,
Roemer, F.,
Lauterbach, C.,
Schwarz, Uli,
Rumbolz, C.,
Schillgalies, M.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2007)
Analysis of substrate modes in GaN/InGaN Lasers.
SPIE proceedings 6468, 64680Q.
Volltext nicht vorhanden.
Kojima, K.,
Funato, M.,
Kawakami, Y.,
Braun, Harald,
Schwarz, Uli,
Nagahama, S. und
Mukai, T.
(2007)
Comparison between optical gain spectra of InxGa1-xN/In0.02Ga0.98N laser diodes emitting at 404 nm and 470 nm.
phys. stat. sol. (a) 204, S. 2108.
Volltext nicht vorhanden.
Braun, Harald,
Lauterbach, C.,
Schwarz, Uli,
Laino, V.,
Witzigmann, B.,
Rumbolz, C.,
Schillgalies, M.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2007)
Experimental and Theoretical Study of Substrate Modes in (Al,In)GaN Laser Diodes.
phys. stat. sol. (c) 4, S. 2772.
Volltext nicht vorhanden.
Laino, V.,
Roemer, F.,
Witzigmann, B.,
Lauterbach, C.,
Schwarz, Uli,
Rumbolz, C.,
Schillgalies, M.,
Furitsch, M.,
Lell, A. und
Här, V.
(2007)
Experimental and theoretical study of substrate modes in (Al,In)GaN laser diodes.
IEEE J. Quantum Electronics 43, S. 16.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Braun, Harald,
Kojima, K.,
Kawakami, Y.,
Nagahama, S. und
Mukai, T.
(2007)
Interplay of built-in potential and piezoelectric field on carrier recombination in green light emitting InGaN quantum wells.
Applied Physics Letters 91, S. 123503.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Ulrich T. ,
Braun, H.,
Kojima, K.,
Kawakami, Y.,
Nagahama, S. und
Mukai, T.
(2007)
Interplay of built-in potential and piezoelectric field on carrier recombination in green light emitting InGaN quantum wells.
Applied Physics Letters 91 (12).
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Braun, Harald,
Kojima, K.,
Funato, M.,
Kawakami, Y.,
Nagahama, S. und
Mukai, T.
(2007)
Investigation and comparison of optical gain spectra of (Al,In)GaN laser diodes emitting in the 375 nm to 470 nm spectral range.
SPIE proceedings 6485, S. 648506.
Volltext nicht vorhanden.
Vierheilig, Clemens,
Braun, Harald,
Schwarz, Uli,
Wegscheider, Werner,
Baur, E.,
Strauß, U. und
Härle, V.
(2007)
Lateral Diffusion of Photogenerated Carriers in InGaN/GaN-heterostructures Observed by PL Measurements.
phys. stat. sol. (c) 4, S. 2362.
Volltext nicht vorhanden.
Laubsch, A.,
Sabathil, M.,
Bruederl, G.,
Wagner, J.,
Strassburg, M.,
Baur, E.,
Braun, Harald,
Schwarz, Uli,
Lell, A.,
Lutgen, S.,
Linder, N.,
Oberschmid, R. und
Hahn, B.
(2007)
Measurement of the internal quantum efficiency of InGaN quantum wells.
Proc. SPIE 6486, 64860J.
Volltext nicht vorhanden.
Swietlik, T.,
Franssen, G.,
Czernecki, R.,
Leszczynski, M.,
Skierbiszewski, C.,
Grzegory, I.,
Bohdan, R.,
Trzeciakowski, W.,
Suski, T.,
Perlin, P.,
Lauterbach, C. und
Schwarz, Uli
(2007)
Mode dynamics of high power (InAl)GaN based laser diodes grown on bulk GaN substrate.
Journal of Appli
ed Physics 101, 083109.
Volltext nicht vorhanden.
Swietlik, T.,
Franssen, G.,
Czernecki, R. ,
Leszczynski, M. ,
Skierbiszewski, C. ,
Grzegory, I. ,
Suski, T.,
Perlin, P. ,
Lauterbach, C. und
Schwarz, U. T.
(2007)
Mode dynamics of high power (InAl)GaN based laser diodes grown on bulk GaN substrate.
Journal of Applied Physics 101 (8).
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli und
Witzigmann, B.
(2007)
Nitride Semiconductor Devices.
In:
Optical properties of edge-emitting lasers: measurement and simulation.
Wiley-VCH.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Ulrich T. und
Kneissl, Michael
(2007)
Nitride emitters go nonpolar.
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 1 (3).
Volltext nicht vorhanden.
Kojima, K.,
Schwarz, Uli,
Funato, M.,
Kawakami, Y.,
Nagahama, S. und
Mukai, T.
(2007)
Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al,In)GaN laser diodes.
Optics Express 15, S. 7730.
Volltext nicht vorhanden.
Kojima, K.,
Schwarz, Ulrich T. ,
Funato, M.,
Kawakami, Y.,
Nagahama, S. und
Mukai, T.
(2007)
Optical gain spectra for near UV to aquamarine (Al,In)GaN laser diodes.
Optics Express 15 (12), S. 7730.
Volltext nicht vorhanden.
Laino, Valerio,
Roemer, Friedhard,
Witzigmann, Bernd,
Lauterbach, Christoph,
Schwarz, Ulrich T. ,
Rumbolz, Christian,
Schillgalies, Marc O.,
Furitsch, Michael,
Lell, Alfred und
Harle, Volker
(2007)
Substrate Modes of (Al,In)GaN Semiconductor Laser Diodes on SiC and GaN Substrates.
IEEE Journal of Quantum Electronics 43 (1), S. 16-24.
Volltext nicht vorhanden.
Vierheilig, Clemens,
Braun, Harald,
Schwarz, Uli,
Wegscheider, Werner,
Baur, E.,
Strauß, U. und
Härle, V.
(2007)
Temperature- and excitation density dependency of photoluminescence spectra in InGaN/GaN-heterostructures.
phys. stat. sol. (c) 4, S. 179.
Volltext nicht vorhanden.
2006
Engl, Karl,
Beer, Martin,
Gmeinwieser, Nikolaus,
Schwarz, Ulrich ,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, Stephan,
Miler, A.,
Lugauer, H.-J.,
Brüderl, G.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Engl, Karl,
Beer, Martin,
Gmeinwieser, Nikolaus,
Schwarz, Ulrich ,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Miler, A.,
Lugauer, H.,
Brüderl, G.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2006)
Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates.
Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Witzigmann, B.,
Laino, V.,
Luisier, M.,
Schwarz, Ulrich ,
Feicht, Georg,
Wegscheider, Werner,
Engl, Karl,
Furitsch, Michael,
Leber, Andreas,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2006)
Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells.
Applied Physics Letters 88 (2), 021104.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Witzigmann, B.,
Laino, V.,
Luisier, M.,
Schwarz, Uli ,
Feicht, Georg,
Wegscheider, Werner,
Engl, K.,
Furitsch, M.,
Leber, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2006)
Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells.
Applied Physics Letters 88, 021104.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Witzigmann, B.,
Laino, V.,
Luisier, M.,
Schwarz, Uli,
Fischer, H.,
Feicht, Georg,
Wegscheider, Werner,
Rumbolz, C.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2006)
Analysis of temperature dependent optical gain in GaN/InGaN quantum well structures.
IEEE Phot. Tech. Lett. 18, S. 1600.
Volltext nicht vorhanden.
Kojima, K.,
Funato, M.,
Kawakami, Y.,
Nagahama, S.,
Kumai, T.,
Braun, Harald und
Schwarz, Uli
(2006)
Gain suppression phenoma observed in InGaN QW laser diodes emitting at 470 nm.
Applied Physics Letters 89, S. 241127.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Lauterbach, C.,
Schillgalies, M.,
Rumbolz, C.,
Furitsch, M.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2006)
Time-resolved scanning near-field microscopy of InGaN laser diode dynamics.
SPIE proceedings 6184, 61840K.
Volltext nicht vorhanden.
2005
Gmeinwieser, Nikolaus,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Ulrich ,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Weimar, Andreas,
Brüderl, G.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2005)
Local strain and potential distribution induced by single dislocations in GaN.
Journal of Applied Physics 98 (11), S. 116102.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Schwarz, Ulrich ,
Pindl, Markus,
Wegscheider, Werner,
Eichler, Christoph,
Scholz, Ferdinand,
Furitsch, Michael,
Leber, Andreas,
Miller, Stephan,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2005)
Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes.
Applied Physics Letters 80 (16), S. 161112.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Schoedl, T.,
Schwarz, Uli,
Kümmler, V.,
Furitsch, M.,
Leber, A.,
Miler, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Facet degradation of GaN heterostructure laser diodes.
Journal of Appli
ed Physics 97, S. 123102.
Volltext nicht vorhanden.
Schoedl, Thomas,
Schwarz, Ulrich T. ,
Kümmler, Volker,
Furitsch, Michael,
Leber, Andreas,
Miler, Andreas,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2005)
Facet degradation of GaN heterostructure laser diodes.
Journal of Applied Physics 97 (12).
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Ulrich T. ,
Pindl, Markus,
Sturm, Evi,
Furitsch, Michael,
Leber, Andreas,
Miller, Stephan,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2005)
Influence of ridge geometry on lateral mode stability of (Al,In)GaN laser diodes.
physica status solidi (a) 202 (2), S. 261-270.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Pindl, M.,
Sturm, Evi,
Furitsch, M.,
Leber, A.,
Miller, S.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Influence of ridge geometry on lateral mode stability of (In/Al)GaN laser diodes.
phys. stat. sol. (a) 202, S. 261.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Pindl, M.,
Wegscheider, Werner,
Eichler, C.,
Scholz, F.,
Furitsch, M.,
Leber, A.,
Miller, S.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes.
Applied Physics Letters 86, S. 161112.
Volltext nicht vorhanden.
Gmeinwieser, N.,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Uli,
Wegscheider, Werner,
Clos, R.,
Krtschil, A.,
Krost, A.,
Weimar, A.,
Brüderl, G.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2005)
Single dislocation induced strain in GaN.
Journal of Appli
ed Physics 98, S. 116102.
Volltext nicht vorhanden.
2004
Gmeinwieser, Nikolaus,
Engl, Karl,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Ulrich ,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Lugauer, H.-J.,
Leber, A.,
Weimar, A.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2004)
Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrates.
Journal of Applied Physics 96 (7), S. 3666-3672.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Schwarz, Ulrich ,
Sturm, Evi,
Wegscheider, Werner,
Kümmler, V.,
Lell, Alfred und
Härle, Volker
(2004)
Excitonic signature in gain and carrier induced change of refractive index spectra of (In,Al)GaN quantum well lasers.
Applied Physics Letters 85 (9), S. 1475-1477.
Zugang zum Volltext eingeschränkt.
Gmeinwieser, N.,
Engl, K.,
Gottfriedsen, P.,
Schwarz, Uli,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Lugauer, H.,
Leber, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Correlation of strain, wing tilt, dislocation density, and photoluminescence in epitaxial lateral overgrown GaN on SiC substrate.
Journal of Appli
ed Physics 96, J. Appl. Phys..
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli,
Sturm, Evi,
Wegscheider, Werner,
Kümmler, V.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Excitonic signature in gain and carrier induced change of refractive index spectra of (In,Al)GaN quantum well lasers.
Applied Physics Letters 85, S. 1475.
Volltext nicht vorhanden.
Schoedl, T.,
Schwarz, Uli,
Miller, S.,
Leber, A.,
Furitsch, M.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Facet degradation of (Al,In)GaN laser diodes.
phys. stat. sol. (a) 201, S. 2635.
Volltext nicht vorhanden.
Gmeinwieser, N.,
Engl, K.,
Schwarz, Uli,
Zweck, Josef,
Wegscheider, Werner,
Miller, S.,
Leber, A.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2004)
Strain, wing tilt and Photoluminescence in ELOG GaN on SiC substrates.
phys. stat. sol. (a) 201, S. 2760.
Volltext nicht vorhanden.
2003
Schwarz, Uli,
Sturm, Evi,
Wegscheider, Werner,
Kümmler, V.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2003)
Gain spectra and current-induced change of refractice index in (In/Al)GaN diode lasers.
phys. stat. sol. (a) 200, S. 143.
Volltext nicht vorhanden.
Schwarz, Uli ,
Schuck, P.,
Mason, M.,
Grober, R.,
Roskowsky, A.,
Einfeldt, S. und
Davis, R.
(2003)
Microscopic mapping of strain relaxation in uncoalesced pendeoepitaxial GaN on SiC.
Physical Review B 67, S. 45321.
Schwarz, Uli,
Sturm, Evi,
Wegscheider, Werner,
Kümmler, V.,
Lell, A. und
Härle, V.
(2003)
Optical gain, carrier-induced phase shift, and linewidth enhancement factor in InGaN quantum well lasers.
Applied Physics Letters 83, S. 4095.
Volltext nicht vorhanden.
2002
Kümmler, V.,
Brüderl, G.,
Bader, S.,
Miller, S.,
Weimar, A.,
Lell, A.,
Härle, V.,
Schwarz, Uli,
Gmeinwieser, N. und
Wegscheider, Werner
(2002)
Degradation Analysis of InGaN Laser Diodes.
phys. stat. sol. (a) 194, S. 419.
Volltext nicht vorhanden.
Bittner, B.,
Scherm, M.,
Schoedl, T.,
Tyroller, T.,
Schwarz, Uli und
Maier, Max
(2002)
Phonon-polariton damping by low-frequency excitations in lithium tantalate investigated by spontaneous and stimulated Raman scattering.
J. Phys.: Condes. Matter 14, S. 9013.
Volltext nicht vorhanden.
Bittner, B,
Scherm, M,
Schoedl, T,
Tyroller, T,
Schwarz, U T und
Maier, Max
(2002)
Phonon-polariton damping by low-frequency excitations in lithium tantalate investigated by spontaneous and stimulated Raman scattering.
Journal of Physics: Condensed Matter 14 (39), S. 9013-9028.
Volltext nicht vorhanden.
2001
Roskowsky, A.,
Miraglia, P.,
Preble, E.,
Einfeldt, S.,
Stiles, T.,
Davis, R.,
Schuck, J.,
Grober, R. und
Schwarz, Uli
(2001)
Strain and dislocation reduction in maskless pendeo-epitaxy GaN thin films.
phys. stat. sol. (a) 188, S. 729.
Volltext nicht vorhanden.
2000
1999
1998
1997
1996
Diese Liste wurde erzeugt am Fri Dec 20 11:59:45 2024 CET.