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Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes

Schwarz, Ulrich, Pindl, Markus, Wegscheider, Werner, Eichler, Christoph, Scholz, Ferdinand, Furitsch, Michael, Leber, Andreas, Miller, Stephan, Lell, Alfred und Härle, Volker (2005) Near-field and far-field dynamics of (Al,In)GaN laser diodes. Applied Physics Letters 80 (16), S. 161112.

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Zusammenfassung

Near- and far-field dynamics of edge-emitting (Al,In)GaN laser diodes are measured simultaneously with a 100 nm spatial and a 5 ns temporal resolution using a scanning near-field microscope. We reconstruct the phase distribution at the laser diode facet. Beam steering and near-field mode dynamics are interpreted in terms of thermal and carrier induced change of refractive index in the waveguide.


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:14 April 2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1900304DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/86/161112/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
42.55.Px; 42.60.Jf; 68.37.Uv;PACS
Stichwörter / Keywords:aluminium compounds, indium compounds, gallium compounds, III-V semiconductors, wide band gap semiconductors, semiconductor lasers, beam steering, refractive index, carrier density, waveguide lasers, near-field scanning optical microscopy
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:34
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:24
Dokumenten-ID:11961
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