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Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates

Engl, Karl, Beer, Martin, Gmeinwieser, Nikolaus, Schwarz, Ulrich, Zweck, Josef, Wegscheider, Werner, Miller, Stephan, Miler, A., Lugauer, H.-J., Brüderl, G., Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Influence of an in situ-deposited SiNx intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.

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Zusammenfassung

In this work we present a study on the influence of an in situ grown SiNx intermediate layer inside (Al)GaN epitaxial layers grown on SiC substrates on dislocation densities and material strain of the epitaxial films. A defect density of View the MathML source was achieved by reducing the number of pure edge dislocations in the order of one magnitude. It was found that a reduction of the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:15 März 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.jcrysgro.2005.10.115DOI
Klassifikation:
NotationArt
78.55.Cr; 81.15.Gh; 61.72.Ff; 68.35.Gy; 68.55.JkPACS
Stichwörter / Keywords:A1. Characterization; A1. Defects; A l. Dislocation; A1. Etching; B l. GaN
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:12
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:24
Dokumenten-ID:12183
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