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Density dependent cyclotron and intersubband resonance in inverted CdTe/HgTe/CdTe quantum wells.

Schultz, M., Merkt, U., Sonntag, A., Rössler, Ulrich, Colin, T., Helgesen, P., Skauli, T. und Lovold, S. (1998) Density dependent cyclotron and intersubband resonance in inverted CdTe/HgTe/CdTe quantum wells. Journal of Crystal Growth 184-18, S. 1180-1184.

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Zusammenfassung

Cyclotron and intersubband resonances in HgTe quantum wells in the inverted band regime are studied by Fourier-transform spectroscopy. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) allow us to tune the electron density. In particular, we investigate filling factor dependent splittings of the cyclotron resonance in strong magnetic fields and a crossing of Landau levels of the conduction and valence subband. The experimental results are well described by a 6 × 6 k·p-model.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:2 Februar 1998
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Rössler
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S0022-0248(98)80247-9DOI
Stichwörter / Keywords:HgTe; CdTe; Quantum well; Two-dimensional electron system; Cyclotron resonance; Intersubband resonance
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:17
Dokumenten-ID:1383
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