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Conduction mechanism in granular Ru02-based thick-film resistors

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-188256

Schoepe, Wilfried (1990) Conduction mechanism in granular Ru02-based thick-film resistors. Physica B: Condensed Matter 165-16, S. 299-300.

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Zusammenfassung

The conductivity of a commercial thick-film resistor is measured between 4 K and 15 mK and in magnetic fields up to 7 Tesla. The data can be described by the variable-range hopping mechanism with a Coulomb gap in the density of states. The negative magnetoresistance may be attributed to quantum-interference effects in the strongly localized regime.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1990
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Wilfried Schoepe
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S0921-4526(90)80999-YDOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:20 Dez 2010 14:09
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:28
Dokumenten-ID:18825
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