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Conduction mechanism in granular Ru02-based thick-film resistors
Schoepe, Wilfried (1990) Conduction mechanism in granular Ru02-based thick-film resistors. Physica B: Condensed Matter 165-16, S. 299-300.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Dez 2010 14:09
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.18825
Zusammenfassung
The conductivity of a commercial thick-film resistor is measured between 4 K and 15 mK and in magnetic fields up to 7 Tesla. The data can be described by the variable-range hopping mechanism with a Coulomb gap in the density of states. The negative magnetoresistance may be attributed to quantum-interference effects in the strongly localized regime.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physica B: Condensed Matter | ||||
| Verlag: | Elsevier | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 165-16 | ||||
| Seitenbereich: | S. 299-300 | ||||
| Datum | 1990 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Prof. Wilfried Schoepe | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-188256 | ||||
| Dokumenten-ID | 18825 |
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