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Gate-controlled persistent spin helix state in (In,Ga)As quantum wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-268016

Kohda, M., Lechner, Vera, Kunihashi, Y., Dollinger, Tobias, Olbrich, Peter, Schönhuber, Christoph, Caspers, Ines, Belkov, Vassilij, Golub, Leonid, Weiss, Dieter, Richter, Klaus, Nitta, J. und Ganichev, Sergey (2012) Gate-controlled persistent spin helix state in (In,Ga)As quantum wells. Physical Review B (PRB) 8 (86), 081306.

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Zusammenfassung

In layered semiconductors with spin-orbit interaction (SOI) a persistent spin helix (PSH) state with suppressed spin relaxation is expected if the strengths of the Rashba and Dresselhaus SOI terms, α and β, are equal. Here we demonstrate gate control and detection of the PSH in two-dimensional electron systems with strong SOI including terms cubic in momentum. We consider strain-free ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:27 August 2012
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Klaus Richter
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe John Lupton
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.86.081306DOI
1205.5630arXiv-ID
Klassifikation:
NotationArt
71.70.Ej, 72.25.Fe, 72.25.Rb, 73.20.FzPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:22 Nov 2012 10:08
Zuletzt geändert:02 Mai 2017 12:31
Dokumenten-ID:26801
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